9月11日，由公司科技处、科协主办，永利官网、现代物理所、光子所承办的“yL23411永利官网登录创新论坛”第一千四百九十八讲暨永利官网科创建100周年系列学术报告第五十九讲在长安校区举行。国家级人才计划获得者，西安交通大学张伟教授应邀来校，为师生做了题为“相变存储芯片材料的设计与研发”的报告。公司相关专业师生代表参加了报告会。张伟教授主要从事相变存储芯片材料方面的研究工作。

张伟教授介绍了近年来全球范围内对数据存储与处理的需求急剧增长，硫族相变材料PCM是实现非易失存储器的重要载体之一，而英特尔Optane存储器的推出更是标志着PCM在工业化生产上已日趋成熟。相变存储器PCRAM利用PCM的非晶态"0"和晶态"1"之间的电阻的显著差异来实现数据的存储，而PCM在高温下的快速可逆相变以及其在室温下良好的热稳定性保证了PCRAM的快速读写能力与良好的数据保持力。随后，张伟教授讨论了PCRAM的结构相变、电学差异、电阻漂移、热稳定性以及相分离趋势微观机制，并着重介绍材料设计与研发在提升相变存储与类脑计算性能方面起到的关键性作用。

报告结束后，张伟教授细致地为大家提出的问题进行了详细的解答，参加报告的师生都感到受益匪浅，本次报告在大家热烈的掌声中落下帷幕。

张伟教授进行讲座

会场